全自動化學(xué)機械拋光機
TPC-2110
該設(shè)備是適用于薄膜（介質(zhì)層）的全自動CMP拋光設(shè)備，用于氧化物、金屬、STI、SOI、MEMS等產(chǎn)品的平坦化拋光。設(shè)備兼容6/8英寸晶圓，采用多分區(qū)氣囊加壓方式，可實現(xiàn)納米級精密去除，配置雙面刷洗、兆聲清洗、甩干&N2吹干功能，實現(xiàn)干進干出的全自動CMP加工。可根據(jù)需求選配摩擦力、電渦流、在線紅外檢測等EPD功能。
晶圓尺寸6/8英寸
拋光盤數(shù)量1個
Wafer氣囊壓力0-700 g/cm2
拋光盤直徑 OD530 mm
